最近，英特尔高管发表了一个颇具争议的观点：未来晶体管设计（如GAAFET和CFET）可能降低芯片制造对先进光刻设备（尤其是EUV光刻机）的依赖。

想象一下，如何给芯片内部原子级别的热流拍张“高清照片”？这看似科幻的挑战，已被中国科学家变为现实。

国内首片6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆在无锡下线，我国成为全球第三个掌握该量产技术的国家。