最近，英特尔高管发表了一个颇具争议的观点：未来晶体管设计（如GAAFET和CFET）可能降低芯片制造对先进光刻设备（尤其是EUV光刻机）的依赖。这一观点挑战了当前先进芯片制造的核心范式。
目前，ASML的极紫外（EUV）光刻机是制造高端芯片（如7nm及以下节点）的关键设备，它负责帮助台积电等公司将极其微小的电路设计“打印”到硅晶圆上。据了解，EUV技术极为复杂，一台EUV光刻设备需要多项跨学科技术的协同支持，才能实现具备成本效益的量产能力。
值得一提的是，2018年，英特尔订购了首个High-NA EUV光刻系统——TWINSCAN EXE:5000；2023年12月，ASML交付了该光刻系统的首批模块；2024年3月，英特尔分享了在位于美国俄勒冈州的D1X工厂内，ASML工程团队安装调试的部分画面。
有资料显示，ASML的High NA EUV光刻机（EXE:5000）的分辨率为8nm，可以实现比现有EUV光刻机小1.7倍物理特征的微缩，从将单次曝光的晶体管密度提高2.9倍，可以使芯片制造商能够简化其制造流程。在生产速度上，这台光刻机达到了每小时400至500片晶圆，是当前标准EUV每小时200片晶圆的2-2.5倍的速度，即提升了100%至150%，将进一步提升产能。
