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历史性突破!我国首片 6 寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆问世
来源:科技前沿观察者 | 作者:佚名 | 发布时间: 2025-06-23 | 167 次浏览 | 🔊 点击朗读正文 ❚❚ | 分享到:
国内首片6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆在无锡下线,我国成为全球第三个掌握该量产技术的国家。


(一)CHIPX 中试线首战告捷


2025 年 6 月 5 日,位于无锡高新区的上海交大无锡光子芯片研究院(CHIPX)迎来历史性时刻 —— 国内首片 6 寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆在其自主建设的首个光子芯片中试线下线。这片直径 150mm 的晶圆表面,整齐排列着数千个微米级精度的光子器件结构,标志着我国成为继美国、日本之后,第三个掌握大尺寸薄膜铌酸锂光子芯片量产技术的国家。同步实现的高性能调制器芯片规模化量产,更让我国在光通信核心器件领域首次具备与国际一流企业同台竞争的实力,彻底改写了高端光电子器件长期依赖进口的历史。


(二)破解量产 “最后一公里” 难题


回溯产业发展历程,我国在光量子技术研发层面曾长期面临 "实验室成果璀璨,产业化道路梗阻" 的尴尬局面。受制于缺乏标准化中试平台,科研成果转化往往卡在工艺稳定性验证和良率提升阶段。CHIPX 团队自 2022 年 12 月启动中试线建设以来,克服了设备跨国运输受阻、工艺参数跨尺度适配等多重挑战,历时两年建成集设计仿真、材料制备、芯片流片、封装测试于一体的完整工艺平台。此次晶圆成功通线,意味着该平台已实现从 2 英寸样品试制到 6 英寸规模量产的技术跨越,良率突破 85%,为后续商业化生产奠定了坚实基础。